Новое исследование станет отправной точкой для создания сверхэкономичной памяти
Октябрь 27
16:26
2020
В «мультиферроидной памяти» связь между магнитным и ферроэлектрическим порядком открывает возможность «переключать» состояние бита электрическим полем.
Еще никто не комментировал данный материал.
Написать комментарий