Днями віце-президент підрозділу Samsung з контрактного виробництва чіпів Чон Гі Тхе (Jeong Gi-Tae) в інтерв’ю виданню The Elec повідомив, що у майбутньому техпроцесі SF1.4 (клас 1,4 нм) кількість каналів у транзисторах буде збільшена з трьох до чотирьох, що принесе із собою відчутні переваги щодо продуктивності та енергоспоживання. Це відбудеться на три роки після випуску аналогічних за будовою транзисторів Intel, що змусить Samsung наздоганяти конкурента.

Компанія Samsung першою почала випускати транзистори із затвором, що повністю оточує канали в транзистори (SF3E). Це сталося понад рік тому і використовується досить вибірково. Наприклад, такого роду 3-нм техпроцес задіяний для випуску чіпів для майнерів криптовалюти. Канали в транзисторах у новому техпроцесі є тонкі нанолісти, розміщені один над одним. У транзисторах Samsung три такі канали, які з усіх чотирьох сторін оточені затвором і тому струм через них тече під точним контролем із мінімальними витоками.

Компанія Intel, навпаки, свої перші транзистори з каналами-нанолистами почне випускати 2024 року з використанням 2-нм техпроцесу RibbonFET Gate-All-Around (GAA). Із самого початку вони матимуть по чотири нанолистові канали в кожному. Це означає, що GateGAA-транзистори Intel будуть більш продуктивними, ніж аналогічні за будовою транзистори Samsung, зможуть пропускати більший струм і виявляться більш енергоефективними, ніж транзистори південнокорейського конкурента. Це триватиме близько трьох років, поки Samsung не почне випускати чіпи на техпроцесі SF1.4, що очікується у 2027 році. Як тепер стало відомо, вони теж стануть «чотирьохлистовими» — отримають чотири канали кожен замість сьогоднішніх трьох.

Інша справа, чи Samsung насправді відставатиме від Intel у плані технологічності? На той час південнокорейська компанія матиме п’ять років досвіду з масового випуску GAA-транзисторів, тоді як Intel залишатиметься новачком. А з виробництвом таких транзисторів навряд чи все просто, оскільки Samsung використовує цей техпроцес дуже і дуже вибірково. У будь-якому випадку, перехід на нову архітектуру транзисторів стане для галузі напівпровідників помітним проривом і дозволить ще на кілька років відсунути бар’єр, за яким традиційне виробництво напівпровідників перестане перебувати на вістрі прогресу.