Компания Samsung приступила к серийному производству твердотельного накопителя SATA емкостью 250 ГБ на основе 256-гигабитных V-NAND модулей шестого поколения из более чем 100 слоев трехбитных ячеек. Samsung уверяет, что им удалось добиться 20-процентного повышения производительности, сообщает "Сегодня".

В SSD нового поколения южнокорейский технологический гигант использует уникальную технологию "сквозного травлении кристаллов", которая добавляет на 40% больше ячеек к предыдущей однослойной структуре. Это достигается путем создания электропроводящей пресс-формы, состоящей из 136 слоев.

Принцип работы 136-слойной 3D V-NAND памяти Samsung

Высокие стеки пресс-форм обычно делают чипы NAND более уязвимыми к ошибкам и задержкам чтения, но компания Samsung разработала схему оптимизации скорости, чтобы обойти это ограничение. Скорость передачи данных теперь составляет "ниже 450 микросекунд (мкс) для операций записи и ниже 45 мкс для операций чтения", что по сравнению с предыдущим поколением, более чем на 10% быстрее, при этом потребляет на 15% меньше энергии.

Если Samsung сможет начать массовый выпуск 300-слойной 3D NAND в следующем году, это станет серьезным ударом по конкурентам и зарождающейся в Китае индустрии по выпуску флэш-памяти, которая и так сильно упала в цене за последние полгода.