Передбачається, що 1-нанометрові напівпровідники увійдуть у масове виробництво вже у 2030-х роках і будуть на 20% продуктивнішими, ніж 2-нанометрові чипи.

Японський виробник мікросхем Rapidus і Токійський університет співпрацюють із французьким дослідницьким інститутом Leti для спільного розроблення базової технології проєктування чипів із використанням технології в діапазоні 1 нанометра. Про це повідомляє портал Asia Nikkei.

Партнери почнуть активно обмінюватися технологіями вже наступного року. Крім того, Rapidus уже співпрацює з IBM і бельгійською дослідницькою групою Imec для реалізації мети масового виробництва 2-нм чипів у 2027 році. Передбачається, що 1-нм напівпровідники увійдуть у масове виробництво вже у 2030-х роках. Порівняно з 2-нм техпроцесом 1-нм технологія підвищить енергоефективність і обчислювальну продуктивність на 10-20%.

Минулого року Rapidus, Токійський університет та інші японські національні університети об’єдналися з дослідницьким інститутом Riken країни, щоб сформувати Центр передових напівпровідникових технологій (LSTC). У жовтні LSTC підписала з Leti меморандум про взаєморозуміння для вивчення можливості співпраці.

У традиційних структурах компонентів мікросхем мініатюризація, що перевищує певний рівень, знижує енергоефективність і обмежує можливості підвищення продуктивності. Японія не володіє власними ноу-хау в розробці напівпровідників у діапазоні 1 нм. Тому японська Rapidus та інші зацікавлені сторони планують налагоджувати стосунки з дослідницькими інститутами та зарубіжними компаніями за допомогою спільних досліджень та імпорту 1-нм технологій проєктування. Rapidus було створено минулого року за підтримки уряду Японії з метою відродження вітчизняної індустрії мікросхем.

На початку 2000-х років Японія запустила кілька національних напівпровідникових проєктів, спрямованих на розробку технологій мініатюризації, але жоден з них не дав значущих результатів. Великі японські виробники електроніки відмовилися від розробки передових чипів через великий витратний тягар, повідомляє портал Asia Nikkei.

Світові лідери Samsung Electronics і Taiwan Semiconductor Manufacturing Co планують почати масове виробництво напівпровідників за 2-нм технологією у 2025 році. Intel, що виробляє продукцію за 4-нм техпроцесом, планує наступного року почати виробництво чипів за 1,8-нм техпроцесом.

Источник: focus.ua