Суто формально Samsung Electronics не лише випередила TSMC за термінами впровадження 3-нм техпроцесу на кілька місяців, а й суттєво випередила конкурентів за термінами переходу на використання транзисторів із круговим затвором (GAAFET). Південнокорейський виробник тепер сподівається випередити суперників у сфері освоєння 2-нм техпроцесу, нехай і на шкоду експансії вже запущеної 3-нм технології.

Як повідомляє DigiTimes з посиланням на корейське видання Money Today , яке посилається на посвячені в плани Samsung джерела, контрактний підрозділ корейського гіганта зараз зосереджує свої ресурси і зусилля на прискоренні освоєння 2-нм технології, навіть якщо заради цього доведеться пожертвувати масштабами впровадження . Використовувати його в масовому виробництві Samsung почала ще з кінця червня 2022 року, але TSMC, що відстала десь на півроку, все одно придбала більшу кількість замовників на цей ступінь літографії.

Галузеві експерти очікують, що 2-нм техпроцес і його аналоги отримають суттєве поширення лише у 2025 році. Якщо Samsung Electronics розраховує стати серйозним гравцем на ринку контрактного виробництва чіпів із використанням передової літографії, їй потрібно активно освоювати 2-нм норми вже зараз. За даними TrendForce, у першому кварталі цього року TSMC контролювала майже 60% світового ринку послуг з контрактного виробництва чипів. Керівництво Samsung хотіло б бачити компанію у статусі технологічного лідера у цій сфері максимум через п’ять років. Здатність успішно освоїти 2-нм техпроцес багато в чому визначатиме досяжність цієї мети.

В рамках 3-нм технології, як відзначають південнокорейські ЗМІ, компанії TSMC і Samsung мають порівнянний рівень виходу придатної продукції, від 50 до 60 %, але якщо перша зосередилася на розширенні виробничих потужностей даного профілю, то друга вже розмірковує про перехід на 2-нм технологію. Ведеться завчасна робота з потенційними клієнтами, які в майбутньому могли б замовляти у неї випуск 2-нм продукції за власними проектами. На відміну від TSMC компанії Samsung в рамках 2-нм технології не потрібно вперше застосовувати структуру транзисторів GAAFET, оскільки вона була впроваджена ще на етапі 3-нм техпроцесу. При цьому TSMC може розпочати тестове виробництво 2-нм чіпів вже цього року, а ще загрозу обом старожилам ринку становить швидкий прогрес Intel у цій сфері.